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基于射频开关的MEMSNEMS状态
来源:ob欧宝体育棋牌    发布时间:2023-10-06 23:21:41

  开关可用:机电继电器 (EMR) 和固态 (SS) 开关。这两种技术都提供了权衡,并在某些方面超越了另一种。

  也就是说,EMR 往往表现出更好的射频特性,例如插入损耗、线性度、驻波比、隔离和功率处理。但是,SS交换机通常更可靠,执行更快的切换,并且更紧凑。但是,没有很多开关选项适合这些参数的中间位置。

  在这里,可行的微机电气系统(MEMS)和纳米机械电气系统(NEMS)开关在高射频频率下运行良好且可靠,在二十年的大部分时间里一直受到追捧。据预测,MEMS/NEMS的机械特性将在EMR和SS开关的性能之间提供一个令人满意的中间地带。

  已经有许多尝试将MEMS / NEMS开关技术投入全面生产,并建立提供这些类型开关的可持续业务。有一些竞争者,但对于许多应用来说,MEMS/NEMS技术仍然有太多的权衡。下面仔细看看。

  许多MEMS/NEMS开关的插入损耗建立时间较长。这是开关后开关的插入损耗稳定所需的时间。许多MEMS/NEMS开关也不能可靠地稳定在精确的插入损耗下,而是产生一系列取决于许多不同内部因素的损耗。其他因素与MEMS/NEMS开关的可靠性和生命周期有关。一些商用交换机提供较为合理的性能和可靠性,但在性能直线下降之前提供有限的生命周期。

  长期以来,人们一直认为MEMS/NEMS开关性能的圣杯是能够对器件进行热切换。这是在RF信号处于活动状态时进行开关的操作,这在历史上一直是MEMS产品中的一个极端限制因素。其他考虑因素包括传统MEMS/NEMS开关解决方案中的线性度、最大频率和隔离限制。另一个主体问题是MEMS射频开关业务的成功和寿命,其持续的业务运营是一个足够重要的问题,足以阻止一些寻求长期可靠供应的客户。

  由于这些缺点,MEMS/NEMS开关技术在从事自动化测试、测试设备、关键系统或任何第一先考虑可靠性和高性能的系统方面的模拟/RF设计人员中获得了不尽如人意的声誉。十多年来,优质的MEMS/NEMS技术一直以别的形式出现,即加速度计、惯性测量单元(IMU)、打印机压电部件、气压计、麦克风、带微镜的数字显示器、光子开关、振荡器以及许多其他传感器和微传感器。

  在开关能力超过18 GHz的MEMS/NEMS RF开关选择方面取得了一些进展。Menlo Microsystems(通用电气MEMS研究的商业化分拆)和现在都提供RF MEMS开关,以解决早期RF MEMS开关解决方案的可靠性问题。ADI的ADGM1001(SPDT)声称致动寿命为100亿次循环,而Menlo的理想开关解决方案的额定驱动寿命为3亿次循环。

  考虑到即使是高可靠性 EMR 交换机也只能声称数百万到最多大约 10 万次循环寿命,这是非常了不起的。相比之下,SS 开关提供几乎无限的循环寿命;但是,ADI和Menlo开关的插入损耗在1 GHz时分别为5.34 dB和1 GHz(超端口模式)时和26 dB。这远远超出了在类似频率范围内提供典型3至8 dB插入损耗的SS开关。

  然而,ADI的ADGM1001在极端情况下仅表现出19 dB的隔离,而Menlo的MM5130在超端口模式下在20 GHz时表现出26 dB的隔离。类似的 EMR 开关在这些频率下的隔离度几乎是其两倍。在这里,必须要格外注意的是,能结合使用多个开关来增强隔离。

  在Menlo的M5130的情况下,还能够正常的使用多个开关路径来增强隔离,从理论上讲,这应该在增加隔离的同时增加插入损耗。对某些对插入损耗不那么敏感的应用来说,这可能是一个值得的交换,只要它是一致的,并能第一先考虑隔离。在这两种情况下,这些MEMS/NEMS开关解决方案仍然比同类EMR紧凑得多。

  最近商用的RF MEMS开关器件似乎与过去RF MEMS解决方案的趋势背道而驰,现在可能最终为高频RF应用提供MEMS技术的优势。时间会证明这些解决方案是否像声称的那样可靠。

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